Fujitsu выпустила FRAM-память с диапазоном рабочих напряжений от 2,7 до 5,5 В Компания Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) анонсировала пополнение продуктовой линейки FRAM-памяти V Series. Микросхема MB85RC256V отличается самой большой плотностью записи информации в линейке V Series и поддерживает диапазон рабочих напряжений от 2,7 до 5,5 В. Чип ёмкостью 256 Кбит оснащён двумя последовательными, одним параллельным интерфейсами и выполнен в 8-контактном корпусе SOP. Среди особенностей новинки отмечаются гарантированная длительность хранения данных 10 лет при температуре 85 градусов Цельсия, количество циклов чтения/записи 1 триллион. Сегнетоэлектрическая память Fujitsu нацелена на использование в интеллектуальных счётчиках, автоматизированном оборудовании фабрик, системах мониторинга. На данном этапе развития FRAM-технологии её уделом остаются узкоспециализированные приложения. 27.10.2012 http://www.3dnews.ru/news/637178