Планы компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) предусматривают начало пробного выпуска продукции с применением 22-нанометрового техпроцесса, оптимизированного по критерию высокой производительности, в третьем квартале 2012 года. В первом квартале 2013 года наступит очередь продукции, изготавливаемой с применением 22-нанометровой технологии, оптимизированной по критерию низкого энергопотребления. Такие данные приводит источник со ссылкой на Шен-И-Чанга (Shang-Yi Chiang), старшего вице-президента TSMC по научно-исследовательской работе. Господин Чанг рассказал об успехах компании в освоении 28-нанометровой технологии. Начало опытного производства с применением оптимизированного по критерию низкого энергопотребления варианта этой технологии с использованием оксинитрида кремния (SiON), намечено на июнь. К оптимизированному по критерию высокой производительности чипов варианту с металлическими затворами и диэлектриком с высоким значением диэлектрической постоянной (HKMG) компания рассчитывает перейти в конце сентября. В декабре TSMC планирует представить вариант 28-нанометрового техпроцесса HKMG, оптимизированный по критерию низкого энергопотребления чипов. Заказчиками 28-нанометровой продукции TSMC уже стали Altera, Fujitsu Microelectronics, Qualcomm и Xilinx. 12:30 27.02.2010source