Вступление Наиболее востребованными на рынке оперативной памяти были и остаются бюджетные планки. И не только потому, что для сборки большинства компьютеров используются компоненты среднего ценового уровня, в который высокочастотная память просто не вписывается ни по цене, ни по характеристикам. Из-за ограничений, накладываемых контроллером памяти в ЦП или северном мосту, для разгона DDR3 до частот выше 2000-2200 МГц подойдет далеко не каждый процессор и материнская плата. На данный момент выбор платформы для работы такой памяти ограничен всего пятью вариантами: Socket AM3+ (AMD Bulldozer); Socket FM1 (AMD Llano); Socket 1156 (Core i7-8xx Lynnfield); Socket 2011 (Sandy Bridge-E); Socket 1366 (Core i7-9xx Gulftown). Возможно, очень скоро к этому списку добавятся Ivy Bridge, при условии, что для них окажутся работоспособными множители для частоты памяти выше 1:8. Но главная причина выбора в пользу бюджетной памяти в том, что даже при сборке более-менее мощной конфигурации предпочтительнее выделить больше средств на видеокарту, процессор или даже SSD-накопитель. Значительное снижение цен на оперативную память привело к смещению спроса в сторону модулей по 4 гигабайта. На данный момент разница в цене между топовой и бюджетной памятью такого объема может отличаться в несколько раз – от $40 за пару модулей по 4 Гбайта с номиналом 1333 МГц до $499 за комплект Corsair Dominator GTX8, работающий на частоте 2400 МГц. Сократить и без того несущественную разницу между дорогой и дешевой памятью (что сказывается на производительности компьютера в целом) можно при помощи разгона и выбора модулей, построенных с использованием «правильных» микросхем. Вероятность того, что среди дешевой памяти вам попадется та, что сможет работать на 2400 МГц с таймингами 9-11-11-28 (особенно в конфигурации из четырех модулей общим объемом 16 гигабайт), очень невысока. Но, тем не менее, в большинстве случаев смело можно рассчитывать на разгон до стандартной (для массовой ныне платформы Sandy Bridge) частоты 2133 МГц. Недавно в лаборатории уже было протестировано несколько комплектов недорогой памяти разных производителей. Но, к сожалению, среди доступных на тот момент модулей не удалось найти Hynix и Samsung, хорошо известных участникам нашего форума благодаря своему отличному разгонному потенциалу. Поэтому было решено провести еще одно тестирование, включив в него планки этих производителей. Из него вы узнаете о разгоне оригинальных планок памяти Samsung на микросхемах K4B2G0846C-HCH9, K4B2G0846D-BCK0, K4B2G0846D-HCK0 и Hynix на микросхемах H5TQ2G83CFR-H9C, а также о том, как они реагируют на различные сочетания таймингов и повышение напряжения. Характеристики Характеристики модулей памяти перечислены в таблице: * В таблице указана цена на модули памяти актуальная на момент проведения тестирования Упаковка и внешний вид Все протестированные модули поставлялись в антистатическом пакетике без какой-либо дополнительной комплектации. Экономия на упаковке – один из способов уменьшить конечную розничную цену для покупателя. Даже если изначально производителем памяти и были предусмотрены какие-то пластиковые коробочки, то от них вполне могли избавиться, чтобы сократить затраты на логистику. Ничего страшного в этом нет, но стоит знать, что при таком способе транспортировки часть модулей приезжает «битыми». Поэтому при получении их в магазине необходим внимательный осмотр на отсутствие повреждений. Также не лишним будет взять с собой в магазин упаковку от какой-либо другой памяти, чтобы не повредить только что купленную по дороге домой. Кстати, одна из взятых на тестирование планок оказалась со сколотыми элементами, и было потрачено дополнительное время на её замену. Начнем обзор с модулей Hynix, интересных, прежде всего тем, что на данный момент микросхемы именно этого производителя используются в большинстве дорогих высокочастотных комплектов памяти, состоящих из планок объемом 4 Гбайта. Hynix Original HMT351U6CFR-H9 (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C) Модуль памяти производства Hynix выполнен на печатной плате синего цвета. Объем - 4096 Мбайт, он набран шестнадцатью микросхемами с плотностью два гигабита, которые установлены по восемь с каждой стороны. На наклейке приведена маркировка планки (part number) HMT351U6CFR-H9, её объем, номинальная частота и неделя производства (38 неделя 2011 года): Компания Hynix является одним из крупнейших производителей полупроводниковых компонентов, поэтому для модулей памяти использует микросхемы собственного производства. В данном случае это микросхемы DDR3 памяти Hynix H5TQ2G83CFR-H9C, выпущенные на 35 неделе 2011 года. Они рассчитаны на работу с частотой 1333 МГц, таймингами 9-9-9 и напряжением 1.50 В. Документацию к ним в формате PDF можно скачать с сайта производителя (218 Кбайт). Микросхема SPD: Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: hynix_hmt351u6cfr-h9.spd. Модуль основан на PCB ST-104B: По надписи «Hynix Korea» на печатной плате можно было бы предположить, что она сделана на заводе Hynix в Корее, но это не так. Как вы увидите чуть ниже, некоторые разновидности модулей памяти Samsung тоже используют плату ST-104B со схожим дизайном, но с надписью «Samsung». Вероятно, и Samsung, и Hynix заказывают изготовление PCB для своих модулей памяти у одного и того же стороннего производителя, а далее уже получают их с отличающимися маркировками. А затем на собственных заводах в Корее собирают модуль, устанавливая на него свои микросхемы.
Samsung Original M378B5273CH0-CH9 (SEC K4B2G0846C-HCH9) Компания Samsung использует зеленый цвет для своих модулей. Плотность микросхем стандартная (2 Гбит), поэтому их количество и размещение не отличается от других планок объемом 4 Гбайта. Наклейка на модуле по форме и набору информации на ней такая же, как и у Hynix. Приводится маркировка M378B5273CH0-CH9, объем модуля, номинальная частота и неделя производства (51 неделя 2011 года): Компания Samsung (аналогично Hynix) является производителем микросхем памяти и использует их для изготовления собственной продукции. Микросхемы SEC K4B2G0846C-HCH9 выпущены на 49 неделе 2011 года. Штатные характеристики стандартные – частота 1333 МГц, тайминги 9-9-9 и напряжение 1.50 В. Документацию в формате PDF можно скачать с сайта производителя (1643 Кбайт). Микросхема SPD: Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: samsung_k4b2g0846c-hch9.spd. Используется PCB с маркировкой ST-104B, как и у модулей Hynix, но с отличающимся дизайном:
Samsung Original M378B5273DH0-CK0 (SEC K4B2G0846D-BCK0) Внешне это все та же зеленая планка с шестнадцатью двухгигабитными микросхемами: Маркировка модуля M387B5273DH0-CK0, объём 4096 Мбайт, частота 1600 МГц, производство – 50 неделя 2011 года. Микросхемы SEC K4B2G0846D-BCK0 выпущены на 49 неделе 2011 года. Номинальная частота составляет 1600 МГц с таймингами 11-11-11 и напряжением 1.50 В. Документацию в формате PDF можно скачать с сайта производителя (1734 Кбайт). Микросхема SPD: Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: samsung_k4b2g0846d-bck0.spd. Данная разновидность памяти Samsung использует PCB ST-104B с таким же дизайном, как и у рассмотренного выше модуля Samsung M378B5273CH0-CH9.
Samsung Original M378B5273DH0-CK0 (SEC K4B2G0846D-HCK0) Данный экземпляр полностью совпадает по part number и номинальным характеристикам с предыдущим, но все же не является его копией. Самое заметное его отличие – цвет печатной платы: Информация на наклейке совпадает с предыдущим модулем вплоть до недели выпуска: Но главное отличие, из-за которого и было решено протестировать этот тип памяти на разгон отдельно от других – микросхемы памяти с маркировкой SEC K4B2G0846D-HCK0: Микросхема SPD: Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: samsung_k4b2g0846d-hck0.spd. Модуль использует PCB с маркировкой H2-9 94V-0:
Для тестирования был использован открытый стенд со следующей конфигурацией: Процессор: AMD FX-8120 (Zambezi), 8-cores, 3100 МГц; Материнская плата: ASUS Crosshair V Formula, Rev. 1.01, AMD 990FX+SB950, BIOS 1102; Оперативная память: Hynix Original HMT351U6CFR-H9, DDR3-1333 (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C), 1.50 В, 2x4096 Мбайт; Samsung Original M378B5273CH0-CH9, DDR3-1333 (SEC K4B2G0846C-HCH9), 1.50 В, 2x4096 Мбайт; Samsung Original M378B5273DH0-CK0, DDR3-1600 (SEC K4B2G0846D-BCK0), 1.50 В, 2x4096 Мбайт; Samsung Original M378B5273DH0-CK0, DDR3-1600 (SEC K4B2G0846D-HCK0), 1.50 В, 2x4096 Мбайт; Видеокарта: Sapphire Radeon HD 6950, 2048 Мбайт GDDR5, PCI-E; Накопители: SSD Crucial m4 128 Гбайт, SATA 6 Гбит/с, Firmware v0309 (система, бенчмарки и игры); HDD Western Digital WD1002FAEX, 1000 Гбайт, SATA 6 Гбит/с; Блок питания: Enermax Revolution 85+ ERV1050EWT, 1050 Вт; Охлаждение процессора: Thermalright Archon с двумя 140-мм вентиляторами Thermalright TY-140; Термопаста: Arctic Cooling MX-2. Программное обеспечение: Windows 7 Enterprise SP1 x64 v6.1.7601 с обновлениями по декабрь 2011 года; DirectX Redistributable (Jun2010); AMD AHCI Driver v3.3.1540.22; AMD Catalyst v12.2 (v8.940.0) Preview Driver; SPDTool v0.6.3; Thaiphoon Burner v7.3.2.0 build 0822; MemTest86+ v4.20; LinX v0.6.4 + обновленный linpack_xeon64.exe из комплекта Linpack v10.3.7.012. Методика тестирования Для проверки разгонного потенциала оперативной памяти использовалась платформа Socket AM3+, состоящая из процессора AMD FX-8120 и материнской платы ASUS Crosshair V Formula. На данный момент это лучшая связка для разгона памяти, позволяющая получать частоты, превышающие три гигагерца. Использование именно FX-8120 не принципиально, для разгона памяти одинаково хорошо подойдет любой процессор на ядре Zambezi, даже четырех- и шестиядерные модели. А способность материнской платы ASUS Crosshair V Formula к отличному разгону памяти подтверждает тот факт, что мировой рекорд в 1800 (3600) МГц и второй за ним результат в 1745 (3490) МГц были получены именно на ней. Возможно, вам покажется, что для разгона недорогой DDR3 такая платформа избыточна. Но когда вы увидите результаты, то поймете, что в случае с памятью Hynix и Samsung это не так. Особенно это касается микросхем Hynix, так как именно они лежат в основе той памяти, на которой сейчас и устанавливаются рекорды разгона по частоте. Единственное ограничение по разгону памяти на данной платформе – это частота контроллера памяти (КП). Она не может быть ниже частоты памяти, то есть, чтобы разогнать память, например до 3 ГГц, необходимо разогнать и КП в процессоре до той же частоты. Предел разгона КП зависит от удачности CPU, эффективности охлаждения и напряжения CPU_NB. При использовании воздушного охлаждения частота КП у процессоров на ядре Zambezi обычно немного ниже, чем у процессоров Phenom II и Athlon II, но с удачным экземпляром и напряжением в интервале 1.45-1.50 В можно достичь уровня 3 ГГц. При использовании жидкого азота на процессоре напряжение CPU_NB можно поднять до 1.60-1.70 В и получить частоту КП выше 4 ГГц. Перед началом тестирования КП в процессоре был отдельно проверен на стабильную работу вплоть до 2700 МГц. Этого оказалось достаточно, чтобы разгон бюджетной памяти ничто не ограничивало как минимум до частоты 2700 МГц. Вторичные тайминги для каждого типа модулей индивидуально не подбирались. В этом не было необходимости, поскольку в BIOS материнской платы ASUS Crosshair V Formula есть возможность загрузить профиль с таймингами, уже оптимизированными для модулей объемом 4 Гбайта (пункт Load 4GB Settings). После его загрузки плата устанавливает задержки следующим образом: Единственный тайминг, который был проверен отдельно – Command Rate. Разгон по частоте с 1T и 2T при использовании только двух модулей по 4 Гбайта оказался одинаков, поэтому Command Rate был установлен в 1T. Режим работы памяти был установлен в DCT Unganged Mode. Для разогрева памяти и поиска предельных рабочих частот использовался MemTest86+ v4.20 (не менее четырех проходов теста #5 общей длительностью не менее 12 минут). Управление частотой шины и напряжениями осуществлялось «на лету» при помощи технологии ROG Connect. Дополнительно, после выявления самой высокой частоты для каждого типа памяти, эта частота проверялась в LinX v0.6.4. Все модули проверялись со следующим набором напряжений: номинальное для Low-Voltage памяти, соответствующей стандарту DDR3L (1.35 В); номинальное напряжение для всех участвовавших в тестировании модулей (1.50 В); номинальное напряжение для многих «оверклокерских» комплектов памяти DDR3 для процессоров Intel Core i3/i5/i7 (1.65 В). Далее проверялась способность памяти масштабироваться по частоте с более высоким (выше, чем 1.65 В) напряжением и последующий поиск оптимального для неё напряжения. Реальное напряжение, измеренное при помощи мультиметра UNI-T M890G, было на 0.02 В выше установленного в BIOS. Память обдувалась только потоком воздуха, проходящего через пару 140 мм вентиляторов, установленных на процессорном кулере Thermalright Archon. В дополнительном охлаждении не было необходимости, так как ни один из протестированных модулей не потребовал для раскрытия своего потенциала напряжения выше, чем 1.75 В. После разогрева под нагрузкой память была теплой на ощупь, но не горячей. Температура воздуха в помещении была на уровне +20°C.
Результаты разгона Для каждого из протестированных модулей приведены скриншоты (кликабельные, по ссылкам находятся более подробные варианты) с информацией из SPD, полученной при помощи программы Thaiphoon Burner v7.3.2.0 build 0822. Профили EPP/XMP/BEMP отсутствуют, что не удивительно для бюджетной памяти, которую производитель тестирует только в режимах, являющихся штатными для используемых микросхем. Hynix Original HMT351U6CFR-H9 (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C) Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD: График с результатами разгона: Память на микросхемах Hynix оправдала ожидания, продемонстрировав разгон почти до двух с половиной гигагерц, что составляет 187% от своей номинальной частоты. Также она показала хороший, почти линейный рост частоты от напряжения в интервале от 1.35 В до 1.75 В, но только на правильно подобранных таймингах. Для микросхем Hynix H5TQ2G83xFR-H9C тайминги лучше всего устанавливать по формуле X-(X+2)-(X+1), то есть tRCD на двойку больше tCL и tRP на единицу больше tCL. Для достижения высоких частот tRAS лучше устанавливать не ниже 28, а на не очень высоких частотах (до 2000-2100 МГц) можно использовать и более низкие значения для этого тайминга. В любом случае заметного влияния на производительность tRAS почти не оказывает. У данной памяти нет никаких проблем с работой Command Rate в значении 1T на всем диапазоне частот, повышение его до 2T не приводит к их увеличению. На «ровных» таймингах рост частоты от напряжения выше штатного 1.50 В почти отсутствует и предел по частотам с ними гораздо ниже. Установка напряжений выше 1.75 В (были проверены до 1.90 В) уже не приводит к дальнейшему росту частоты, а только увеличивает нагрев. Установка таймингов выше 11-13-12-28 1T также не приводит к увеличению частоты, а при использовании «семерок» или ниже нормального разгона уже не получается. Samsung Original M378B5273CH0-CH9 (SEC K4B2G0846C-HCH9) Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD: График с результатами разгона: Разгон памяти Samsung на микросхемах SEC K4B2G0846C-HCH9 тоже оказался неплох – до 2220 МГц по частоте, чего вполне достаточно для систем на основе процессоров Sandy Bridge, даже с небольшим повышением BCLK до 104 МГц. Рост частоты от напряжения в интервале от 1.35 В до 1.50 В наблюдается при любых сочетаниях таймингов, а от 1.50 В до 1.65 В только при правильно подобранных. Выше 1.65 В реакция на напряжение почти отсутствует. Подняв его до 1.80-1.85 В можно получить как максимум еще один-два шага по частоте, то есть прирост составит не более 10-20 МГц. Повышение напряжения выше 1.65 В нерационально для микросхем Samsung C0, за исключением случаев, когда потенциала памяти немного не хватает, например, до достижения стандартной для Sandy Bridge частоты в 2133 МГц с таймингами в районе «десяток». «Ровные» сочетания таймингов для микросхем Samsung так же, как и для Hynix, неоптимальны, что видно по слабой реакции на увеличение напряжения выше штатного при использовании комбинации 9-9-9. Но у Samsung, в отличие от Hynix, увеличение tRCD больше чем на единицу относительно tCL не приводит к положительному эффекту. Оптимальной формулой можно считать X-(X+1)-(X+1). При использовании таймингов выше, чем 10-11-11, частота памяти Samsung растет очень слабо, что видно на графике по результатам в режиме 11-13-12. У Samsung (как C0, так и D0), аналогично Hynix, нет необходимости в повышении Command Rate с 1T до 2T. Samsung Original M378B5273DH0-CK0 (SEC K4B2G0846D-BCK0) Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD: График с результатами разгона: Если в разгоне памяти Hynix до частот в районе 2500 МГц нет ничего необычного, то получение результатов такого же уровня с микросхемами SEC K4B2G0846D-BCK0 стало приятным сюрпризом. Более того, если у Hynix для этого необходимо повышение напряжения до 1.75 В, то в случае с Samsung D0 его вообще не обязательно поднимать. Особенно стоит отметить результат в 2444 МГц с таймингами 10-11-11 и напряжением 1.50 B. Память Samsung D0, в отличие от рассмотренной выше Samsung C0, очень слабо реагирует на поднятие напряжения. Увеличение его от 1.50 В до 1.65 В может дать еще 10-20 МГц по частоте, но не более. Однако это не мешает Samsung D0 достигать более высоких частот, нежели Samsung C0, даже с более низким напряжением. Формула оптимальных таймингов осталась прежней – X-(X+1)-(X+1). Но не стоит забывать, что хотя эта память тоже относится к категории бюджетной, но она уже с номиналом в 1600 МГц и чуть более высокой ценой. Поэтому в процентном соотношении от номинала разгон у Hynix все же больше, так же, как и соотношение цены на мегагерц. Samsung Original M378B5273DH0-CK0 (SEC K4B2G0846D-HCK0) Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD: График с результатами разгона: Результаты разгона памяти с микросхемами SEC K4B2G0846D-HCK0 показывают, что не вся память Samsung D0 одинаково полезна. Тут можно видеть явно выраженный частотный «потолок» в районе 2300 МГц, который не зависит от таймингов и почти не зависящий от напряжения. Зато это единственная среди протестированных модулей память, которая смогла работать на частоте выше 2 гигагерц с «девятками» и пониженным до 1.35 В напряжением. Данный режим может быть интересен для обладателей платформ с невысокими возможностями для разгона памяти по частоте (например, таких как Socket AM3 с процессорами Phenom II / Athlon II или Socket 1366 c процессорами на ядре Bloomfield). А для систем на основе Sandy Bridge интересен другой вариант – до 2239 МГц с таймингами 9-10-10 и напряжением 1.50 В. В любом случае даже этот, не самый удачный вариант памяти Samsung D0, оказался лучше, чем Samsung C0. Заключение Нет необходимости описывать недостатки и преимущества раздельно для каждого типа протестированной памяти. В случае бюджетных модулей они совпадают не только для микросхем Hynix, но и для всех разновидностей Samsung. [+] Крайне низкая цена и лучшее соотношение цены к объему. [+] Отличный разгон. Вы можете рассчитывать на частоты в интервале от 2200 до 2500 МГц, чего хватит для всех современных платформ. Даже если вам не удастся найти в продаже оригинальные модули самих Hynix или Samsung, можете смело брать любую другую память, если на ней установлены точно такие же микросхемы Hynix или Samsung. На данный момент их используют многие производители модулей памяти, не занимающиеся выпуском собственных микросхем, и часть из них маркировку не меняет. [+] Данная память не требует высокого напряжения для полного раскрытия своего потенциала. Нет необходимости использовать радиаторы или дополнительный обдув. Достаточно слабого потока воздуха от кулера на процессоре. [-] Высокие тайминги. Для хорошего разгона по частоте (от 2100-2200 МГц и выше) необходимы как минимум «десятки». Это особенность всех без исключения модулей объемом 4 Гбайта. Даже у очень дорогих комплектов памяти, состоящих из модулей по 4 Гбайта и рассчитанных на частоту 2400 МГц, тайминги уже повышены как минимум до уровня 9-11-11. На данный момент единственный вариант получить частоты выше двух гигагерц с таймингами 7 или 8 – это использование памяти с плотностью микросхем в один гигабит (2 Гбайта на модуль), причем далеко не всякой, а только некоторых разновидностей Elpida или PSC. [-] Отсутствие какой-либо упаковки, кроме антистатического пакетика, повышает шансы получить в магазине модули с повреждениями и вынуждает быть внимательным при покупке этой памяти. Данную память можно рекомендовать для всех. Особенно в то время пока она стоит очень небольших денег. Даже если прямо сейчас вам не нужен большой объем, есть смысл взять с запасом два модуля по четыре гигабайта, на случай возможного подорожания памяти в будущем. Единственное «применение», для которого любые планки памяти объемом 4 Гбайта совершенно не подходят – это получение рекордных результатов в 2D-бенчмарках, таких как Super Pi. Но те, кто может рассчитывать на такие результаты в бенчмарках, и сами прекрасно это знают. Но, с другой стороны, в плане достижения рекордно высоких частот (выше 3 ГГц) конкурентов у микросхем Hynix сейчас просто нет. Вопрос изучения производительности памяти с разными сочетаниями частоты и таймингов остался за рамками данного исследования. Но вкратце могу сказать, что на Sandy Bridge некоторая польза от разгона памяти по частоте все-таки есть. А производительность процессоров AMD на ядре Zambezi не спасёт никакой разгон памяти, даже до 3 ГГц. S_A_V 16.02.2012 00:00 http://www.overclockers.ru/lab/45844_3/html